|
|
|
结果: 找到相关主题 5775 个
-
【KIA 原厂】KNB/KNP2706A 60V/150A MOSFET
【可易亚 KIA 原厂】KNB2706A/KNP2706A N 沟道 MOSFET，60V/150A 规格，TO-263/TO-220 双封装可选。2.8mΩ 超低内阻，552mJ 高雪崩能量，快速开关抗干扰。解决进口型号交期不稳、发烫严重痛点，适配大功率电源、电机驱动、逆变器场景，长期现货，支持批量询价与...
www.kiaic.com/article/detail/6436.html 2026-05-29
-
【KIA 原厂】KNC2404A 40V/190A 低内阻 MOSFET
【可易亚 KIA 原厂】KNC2404A N 沟道 MOSFET，TO-252-7 封装，40V/190A 规格，2.2mΩ 超低内阻，529mJ 高雪崩能量。解决进口型号交期不稳、发烫严重痛点，适配大功率电源、DC-DC 转换器、电机驱动场景，长期现货，支持批量询价与 FAE 技术支持。
www.kiaic.com/article/detail/6435.html 2026-05-29
-
【KIA 原厂】KNY/KND/KNB/KNP2904A MOSFET 全系列
【可易亚 KIA 原厂】KNY/KND/KNB/KNP2904A 系列 N 沟道 MOSFET，40V/130A 规格，DFN5×6/TO-252/TO-263/TO-220 全封装可选。2.0mΩ 超低内阻，发热低效率高，100% 雪崩测试，适配快充、电源管理、工业控制等场景，长期现货，支持批量询价与 FAE 技术支持。...
www.kiaic.com/article/detail/6434.html 2026-05-29
-
KPY6115A/KPD6115A -150V/-10A P沟道MOSFET
KPY6115A（DFN5*6）/KPD6115A（TO-252）是 KIA 推出的 - 150V/-10A P 沟道功率 MOSFET，典型导通电阻仅 300mΩ，大幅降低发热损耗。采用先进沟槽工艺，低栅极电荷实现快速开关，工业级宽温工作，100% 雪崩测试，可直接替代 HY6115A、NCE6115A 等型号，适用于主...
www.kiaic.com/article/detail/6433.html 2026-05-28
-
KNP2804C/KNB2804C 40V/150A MOSFET 直接替代
KNP2804C（TO-220）/KNB2804C（TO-263）是 KIA 推出的 40V/150A N 沟道功率 MOSFET，典型导通电阻仅 3.0mΩ，大幅降低发热损耗。采用先进沟槽工艺，支持 320A 脉冲电流，工业级宽温工作，100% 雪崩测试，可直接替代 HY2804C、NCE2804C 等型号，适用于电机驱动、...
www.kiaic.com/article/detail/6432.html 2026-05-28
-
KCY1804A 40V/240A N 沟道 MOSFET DFN5*6 封装
KCY1804A 40V/240A N 沟道功率 MOSFET，DFN5*6 封装，典型导通电阻仅 1.05mΩ，大幅降低发热损耗。支持 960A 脉冲电流，100% 雪崩测试，工业级高可靠性。可直接替代 HY1804A、NCEP1804A 等型
www.kiaic.com/article/detail/6431.html 2026-05-28
-
KIA6140S 400V11A MOSFET 低内阻高雪崩原装
KIA6140S 400V/11A N 沟道 MOSFET，低 Rds (on)=0.53Ω，高雪崩抗冲击，开关电源、电机驱动、电磁阀专用，可直接替代 FQP11N40/STP11N40，TO-220/TO-220F 封装，工业级宽温稳定，原装正品现货供应，工程师选型首选
www.kiaic.com/article/detail/6381.html 2026-05-27
-
KIA3725A｜250V/50A 大功率 MOSFET 低损耗逆变器优选
KIA3725A 现货直供】250V/50A N 沟道 MOSFET，采用新型平面工艺，Rds (on) 低至 45mΩ，大幅降低导通损耗与设备发热；内置快恢复体二极管，开关损耗更低，抗冲击能力强。支持 TO-220F/TO-3P 双封装，可直接替代 IRF460、FDP50N25 等同型号，适配逆变器、电机控...
www.kiaic.com/article/detail/6358.html 2026-05-27
-
KIA3004A 120A/40V 低内阻贴片 MOSFET
KIA3004A（KNB3004A）是一款 120A/40V N 沟道功率 MOSFET，TO-263 贴片封装，典型 Rds=3.8mΩ，低损耗高效率，专为动力电池保护、快充电源、电机驱动设计，可替代进口型号，原厂直供
www.kiaic.com/article/detail/6378.html 2026-05-27
-
KNF6765A 650V 16A MOS管 TO-220F全绝缘
KNF6765A是650V/16A N沟道MOSFET，0.45Ω低阻低发热，快恢复体二极管抗冲击，TO-220F全绝缘封装，适配开关电源、适配器、充电器，原厂直供，稳定靠谱！
www.kiaic.com/article/detail/6430.html 2026-05-27
-
KNP4540A/KNF4540A 400V 6A MOS管 TO-220/TO-220F
NP4540A/KNF4540A是400V/6A N沟道MOSFET，0.8Ω低阻低发热，快恢复体二极管抗冲击，TO-220/TO-220F封装，适配开关电源、适配器、充电器，原厂直供，稳定靠谱！
www.kiaic.com/article/detail/6429.html 2026-05-27
-
KIA23P10A -100V/-23A P沟道MOSFET TO-252封装低阻
KIA23P10A是TO-252封装-100V/-23A P沟道MOSFET，78mΩ低阻低发热，开关速度快、抗干扰强，100%EAS测试，适用于电源/电机/电池保护，原厂直供，稳定靠谱！
www.kiaic.com/article/detail/6428.html 2026-05-27
-
KIA65R700FS 替代 SPA06N65C3 高压 MOS 管
KIA65R700FS 650V/7A N 沟道 MOSFET，TO-220F 封装，参数对标英飞凌 SPA06N65C3，0.6Ω 低 Rds、高抗雪崩能力，高性价比国产替代方案，适配开关电源、LED 驱动。65R700 650V/7A N沟道MOSFET - KIA半导体* {box-sizing: border-box; margin: 0; padding: 0; fon...
www.kiaic.com/article/detail/6427.html 2026-05-27
-
KNS8104A 40V MOSFET 电源 / 电机驱动专用
KNS8104A 40V/30A N 沟道 MOSFET，专为 DC-DC 电源、电池保护板、电机驱动设计，12mΩ 低 Rds、快速开关、100% 雪崩测试，SOT-89 封装，稳定可靠。KNS8104A 40V/30A N沟道MOSFET - KIA半导体* {box-sizing: border-box; margin: 0; padding: 0; font-family: &...
www.kiaic.com/article/detail/6426.html 2026-05-27